Galliumnitride
In dit artikel zullen we het onderwerp Galliumnitride en al zijn implicaties grondig onderzoeken. Vanaf de oorsprong tot de impact ervan vandaag de dag duiken we in een uitgebreide analyse die alle relevante aspecten bestrijkt. Of Galliumnitride nu een persoon, een historische gebeurtenis, een sociaal fenomeen of een ander interessant onderwerp is, ons doel is om een compleet en gedetailleerd overzicht te bieden dat de nieuwsgierigheid van onze lezers bevredigt. Langs deze lijnen zullen we dieper ingaan op de verschillende aspecten die kenmerkend zijn voor Galliumnitride, van de invloed ervan op de samenleving tot de relevantie ervan in het huidige panorama. Er bestaat geen twijfel dat Galliumnitride wijdverbreide belangstelling wekt, en daarom stellen wij voor een diepgaande en onthullende blik te bieden die ons in staat stelt de ware reikwijdte ervan te begrijpen.
| Gallium(III)nitride | ||||
|---|---|---|---|---|
| Structuurformule en molecuulmodel | ||||
| ||||
Kristalstructuur van gallium(III)nitride,
■ Ga ■ N | ||||
| ||||
Een stukje gallium(III)nitride
| ||||
| ||||
Kristallen gallium(III)nitride
| ||||
| Algemeen | ||||
| Molecuulformule | ||||
| IUPAC-naam | Gallium(III)nitride | |||
| Molmassa | 83,730 g/mol | |||
| SMILES | #N
| |||
| CAS-nummer | 25617-97-4 | |||
| PubChem | LW9640000 | |||
| Wikidata | Q411713 | |||
| Beschrijving | geel poeder | |||
| Fysische eigenschappen | ||||
| Dichtheid | [1]6,1 g/cm³ | |||
| Smeltpunt | [1][2]> 1600 °C | |||
| Onoplosbaar in | water[3] | |||
| Brekingsindex | 2,429 | |||
| Thermodynamische eigenschappen | ||||
| ΔfH |
−110,2 kJ/mol | |||
| Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar). | ||||
| ||||
Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3,4 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een X-band-zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.
Galliumnitride is ook gebruikt in de Erieye radar van het GlobalEye AWACS vliegtuig.
- Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Gallium nitride op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar. Met name gegevens in de infobox zijn ontleend aan de Engelse Wikipedia.
Externe link
Verwijzingen in de tekst
- ↑ a b Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0
- ↑ Harafuji, Kenji, Tsuchiya, Taku, Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Journal of Applied Physics 96 (5). DOI: 10.1063/1.1772878.
- ↑ Foster, Corey M., Collazo, Ramon, Sitar, Zlatko, Ivanisevic, Albena (2013). abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride. Langmuir 29 (1): 216–220. PMID 23227805. DOI: 10.1021/la304039n.